特許
J-GLOBAL ID:200903050149664320

ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-331641
公開番号(公開出願番号):特開2008-046582
出願日: 2006年12月08日
公開日(公表日): 2008年02月28日
要約:
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、通常露光(ドライ露光)のみならず液浸露光においても、露光-PEB間の引き置きによるレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が少なく、また、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。【解決手段】(A)単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂および(D)溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、 (B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、 (C)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂および (D)溶剤 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (5件):
G03F 7/039 ,  G03F 7/075 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 30/08
FI (5件):
G03F7/039 601 ,  G03F7/075 521 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F30/08
Fターム (17件):
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AP16P ,  4J100BA72P ,  4J100BA80P ,  4J100BA81P ,  4J100BC04P
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 特開昭57-153433号公報
  • パターン形成方法及びその露光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-008136   出願人:株式会社日立製作所
  • 液浸型露光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-121757   出願人:株式会社ニコン
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審査官引用 (4件)
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