特許

J-GLOBAL ID：200903050307221295

高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： 安藤 友之 ,  廣崎 貴子 ,  緒方 寿幸
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-033008
公開番号（公開出願番号）：特開2006-219555
出願日： 2005年02月09日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】 解像性に優れたパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物用として好適な高分子化合物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a1)と、下記一般式(a2-1)または(a2-2)[式中、Zは脂肪族環式基を表し;nは0または1〜3の整数を表し;mは0または1を表し;Rはそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル基、フッ素原子またはフッ素化低級アルキル基を表し;R1、R2はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1〜5の低級アルキル基を表す。]で表される構成単位(a2)とを含むこと特徴とする高分子化合物。【化1】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a1)と、下記一般式(a2-1)または(a2-2)

IPC (4件)：

C08F 212/14 ,  C08F 220/28 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C08F212/14 ,  C08F220/28 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (35件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  4J100AB02R ,  4J100AB03R ,  4J100AB04R ,  4J100AB07P ,  4J100AC53P ,  4J100AC53R ,  4J100AL08Q ,  4J100AL26Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43R ,  4J100BC53Q ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子線またはX線用ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-142185   出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (4件)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-346933   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 新規なポリマー及びフォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-291498   出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
• アセタール/脂環式ポリマーおよびフォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-296564   出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-297923   出願人：富士写真フイルム株式会社