接続孔の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011265
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205143
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】自己整合コンタクト・プロセスにおけるSiOx層間絶縁膜/エッチング停止膜間の選択比を増大させる。【解決手段】オフセット酸化膜4やサイドウォール5を被覆するエッチング停止膜を、従来一般的なSixNy膜に代わり、SiOxNy膜で構成する。SiOxNyは原子組成がSiOxやSixNyよりもSiリッチで、SiOxよりもOが少ないため、SiOxNyエッチング停止膜7上のSiOx層間絶縁膜8をフルオロカーボン(FC)系ガスを用いてエッチングすると、該停止膜7の露出面ではカーボンの除去が鈍り、FC系ポリマーの堆積傾向が強まる。このため、SiOx/SiOxNy間では、SiOx/SixNy間よりもエッチング選択比が大きくなる。SiOxNyエッチング停止膜7は、膜厚を最適化すればエキシマ・レーザ波長域における反射防止膜としても働く。

請求項（抜粋）：

基板上に、共にSiOx系材料からなるオフセット絶縁膜とサイドウォールとに囲まれた電極パターンを形成する第1工程と、SiOx系絶縁膜の膜厚方向の一部にSiOxNy系エッチング停止膜を含む層間絶縁膜で基体の全面を被覆する第2工程と、前記SiOx系絶縁膜と前記SiOxNy系エッチング停止膜とを、これら両膜間で互いにエッチング選択比をとり得るごとく個別に調整されたエッチング条件にもとづいて選択的にエッチングすることにより、少なくとも底面の一部が前記電極パターンの隣接部位において前記基板に臨む接続孔を開口する第3工程とを有する接続孔の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065 , H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/318 C , H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭60-128642
特開平4-239723
配線パターンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216754 出願人：ソニー株式会社

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