特許
J-GLOBAL ID：200903015921342414
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302946
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127102
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】導電性フィラーを用いずに半導体素子と絶縁性基板(実装基板)との電気的接続が確保される半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体回路が形成された半導体素子1と、半導体素子1の表面に形成され、半導体回路に接続する電極2と、絶縁性基板5と、絶縁性基板の表面に形成された導体配線4と、電極2および導体配線4に接する導電性のバンプ3とを有する半導体装置であって、バンプ3の直径は絶縁性基板5側に比較して半導体素子1側で相対的に小さい半導体装置。絶縁性基板5の表面に導体配線4を形成し、バンプ3好適にはスタッドバンプを導体配線4に結合させてから、バンプ3を半導体素子1の電極2に接合する半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体回路が形成された半導体素子と、前記半導体素子の表面に形成され、前記半導体回路に接続する電極と、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の表面に形成された導体配線と、前記電極および前記導体配線に接する導電性のバンプとを有する半導体装置であって、前記バンプの直径は前記絶縁性基板側に比較して前記半導体素子側で相対的に小さい半導体装置。
Fターム (6件)：
5F044KK01
, 5F044KK17
, 5F044KK18
, 5F044KK19
, 5F044LL00
, 5F044RR19
