特許
J-GLOBAL ID：200903050419461027
インターポーザ及びこれを用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175836
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064467
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 熱歪による半導体素子の内部の層間絶縁膜や配線層等の損傷を抑制し、半導体装置の信頼性の向上に寄与することができる「インターポーザ及びこれを用いた半導体装置」を提供すること。【解決手段】 インターポーザ55は、弾性を有する板状絶縁体56と、その厚さ方向に貫通して埋め込まれた複数の導体57と、板状絶縁体56の、半導体素子51を搭載する側の面に設けられたシート状部材70とを有している。このシート状部材70は、搭載する半導体素子51と同程度の熱膨張係数を有している。さらに、板状絶縁体56の、半導体素子51を搭載する側と反対側の面に、インターポーザ55が実装される半導体パッケージ60と同程度の熱膨張係数を有するシート状部材を設けてもよい。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
弾性を有する板状絶縁体と、
前記板状絶縁体の厚さ方向に貫通して埋め込まれた複数の導体と、
前記板状絶縁体の、半導体素子を搭載する側の面に設けられ、該半導体素子と同程度の熱膨張係数を有する第1のシート状部材とを有することを特徴とするインターポーザ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L23/32 D
, H01L23/12 501B
, H01L23/12 501C
