特許
J-GLOBAL ID：200903050422372116

プラズマ成膜方法

発明者：
中瀬 りさ

中瀬 りさ について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-347857
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265885
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 CF膜を半導体デバイスの層間絶縁膜として用いようとすると、タングステンの配線を形成するときに例えば400°C〜450°C付近にまでCF膜が加熱され、このときにF系のガスがCF膜から抜け、配線の腐食や膜減りに伴う種々の不都合が生じるので、これを抑えるために熱安定性を高めること。【解決手段】 CとFの化合物ガス例えばC4 F8 ガスと、炭化水素ガス例えばC2 H4 ガスと、COガスを成膜ガスとして用い、これらガスをプラズマ化してプロセス温度400°Cの下でその活性種により半導体ウエハ10上にCF膜を成膜する。COガスの添加により、グラファイト的結合よりもダイヤモンド的結合が多くなるので、結合が強固となり、高温下でも結合が切れにくくなって、熱安定性が向上する。
請求項（抜粋）：
炭素とフッ素との化合物ガスと、一酸化炭素ガスと、を含む成膜ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ-ボン膜を成膜することを特徴とするプラズマ成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/314 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L 21/314 A ,  C23C 16/26 Z ,  H01L 21/31 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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