特許
J-GLOBAL ID：200903050424247181
さまざまな周波数のRF電力の変調を用いた高アスペクト比エッチング
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-523892
公開番号（公開出願番号）：特表2007-503709
出願日： 2004年08月06日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法を提供する。【解決手段】RF電力を第1周波数、前記第1周波数とは異なる第2周波数、および前記第1および第2周波数とは異なる第3周波数において与えることができる処理チャンバ内に基板が置かれる(404)。エッチャントガスが処理チャンバに供給される(408)。第1エッチングステップが行われ(412)、ここで第1周波数、第2周波数、および第3周波数は第1エッチングステップとしての電力設定である。第2エッチングステップが行われ(416)、ここで第1周波数、第2周波数、および第3周波数は異なる電力設定である。オプションとして第3エッチングステップも提供されえる(420)。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法であって、
RF電力を第1周波数、前記第1周波数とは異なる第2周波数、および前記第1および第2周波数とは異なる第3周波数において与えることができる処理チャンバ内に前記基板を置くこと、
エッチャントガスを前記処理チャンバに供給すること、
前記第1周波数が第1電力レベルであり、前記第2周波数が第2電力レベルであり、前記第3周波数が第3電力レベルであり、ここで前記第1電力および前記第2または前記第3電力のうちの少なくとも1つはゼロより大きく、ここで前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングする、第1エッチングステップを行うこと、および
前記第1周波数が第4電力レベルであり、前記第2周波数が第5電力レベルであり、前記第3周波数が第6電力レベルであり、ここで前記第4および前記第6電力のうちの少なくとも1つはゼロより大きく、前記第5電力はゼロより大きく、条件は、第1電力が第4電力と等しくないこと、および第3電力が第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、ここで前記第2エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さより大きい第2深さまでエッチングする、第2エッチングステップを行うこと
を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101B
, H05H1/46 M
5F004AA05
, 5F004BA04
, 5F004BA05
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004DA00
, 5F004DB03
, 5F004EA28
, 5F004EA37
