特許
J-GLOBAL ID：200903050558197407
半導体製造用部材の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-175266
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008216
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造用部材の部材表面を高清浄度とし、半導体ウエハの汚染を防止すること。【解決手段】 少なくとも表面部が炭化珪素質材料もしくは窒化珪素質材料により構成された半導体製造用部材7は、熱処理炉1において高温酸素雰囲気中で熱処理され、該部材7の表面に酸化珪素膜が形成される。そして、表面に酸化珪素膜が形成された部材7は熱処理炉1から取り出され、表面の酸化珪素膜が、例えばフッ酸により溶解除去される。したがって、各処理に費やされる時間は、極めて短時間とすることができ、従来の塩化水素ガスなどを用いたドライ洗浄と比較し、トータル所要時間を短縮させることができる。また、例えば塩化水素ガスによる配管等の腐食、炭化珪素質もしくは窒化珪素質部材への逆汚染の恐れがなく、その表面を容易に高い清浄度とすることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面部が炭化珪素質材料もしくは窒化珪素質材料により構成された半導体製造用部材を高温酸素雰囲気中で熱処理し、該部材の表面に酸化珪素膜を形成したのち、前記酸化珪素膜を酸により溶解除去することを特徴とする半導体製造用部材の洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/205
, H01L 21/68
H01L 21/304 341 Z
, H01L 21/205
, H01L 21/68 N
