特許
J-GLOBAL ID：200903050576538912

半導体発光素子

発明者：
北野 延明

北野 延明 について

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新井 優洋

新井 優洋 について

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飯塚 和幸

飯塚 和幸 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (6件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-039271
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200178
出願日： 2008年02月20日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】光取り出し効率が向上した半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は支持構造体6と発光構造体5とを備え、支持構造体6は、支持基板20と、支持基板20の表面上方に設けられる支持基板側接合層200とを有し、発光構造体5は、支持基板側接合層200と接合する発光構造側接合層170と、発光構造側接合層170の支持基板20の反対側に設けられる反射領域と、反射領域の発光構造側接合層170の反対側に設けられる発光層135と、発光層135の反射領域の反対側において光を乱反射させる光取り出し面とを含む半導体積層構造130とを有し、反射領域は、半導体積層構造130の屈折率よりも低い屈折率を有する材料からなる透明層140と反射層150とを含み、透明層140は、透明層140に入射した光の多重反射による干渉が抑制される厚さを有する。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
支持構造体と発光構造体とを備える半導体発光素子において、 前記支持構造体は、 支持基板と、 前記支持基板の一の表面の上方に設けられる支持基板側接合層と を有し、 前記発光構造体は、 前記支持基板側接合層と接合する発光構造側接合層と、 前記発光構造側接合層の前記支持基板の反対側に設けられる反射領域と、 前記反射領域の前記発光構造側接合層の反対側に設けられ、所定の波長の光を発する発光層と、前記発光層の前記反射領域の反対側において前記光を乱反射させる光取り出し面とを含む半導体積層構造と を有し、 前記反射領域は、前記半導体積層構造の屈折率よりも低い屈折率を有する材料からなる透明層と金属材料からなる反射層とを含み、 前記透明層は、前記透明層に入射した前記光の多重反射による干渉が抑制される厚さを有する半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 B
Fターム (10件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (11件)
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