特許
J-GLOBAL ID：200903067631579194
GaN系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-080606
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261609
出願日： 2005年03月18日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】素子の内部を、光取り出し方向とは反対の方向に進行する光を、より効率的に反射させる構造を備えた、光取り出し効率の改善されたGaN系LEDを提供することを目的とする。 【解決手段】n型GaN系半導体層2と、GaN系半導体からなる発光層3と、p型GaN系半導体層4とをこの順に含む積層体と、前記p型GaN系半導体層4の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するn型半導体からなる半導体電極層P2aと、前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極P2bと、前記金属電極P2bを挟んで前記半導体電極層P2aの表面に形成された、前記半導体電極層P2aよりも低屈折率の透明絶縁膜Insと、前記透明絶縁膜Insの表面に形成された金属製の反射膜Rと、を有するGaN系発光ダイオード。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型GaN系半導体層と、GaN系半導体からなる発光層と、p型GaN系半導体層とをこの順に含む積層体と、
前記p型GaN系半導体層の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するn型半導体からなる半導体電極層と、
前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極と、
前記金属電極を挟んで前記半導体電極層の表面に形成された、前記半導体電極層よりも低屈折率の透明絶縁膜と、
前記透明絶縁膜の表面に形成された金属製の反射膜と、
を有するGaN系発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA85
, 5F041CA87
, 5F041CA92
, 5F041CA94
, 5F041DA02
, 5F041DA03
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA19
, 5F041DA34
出願人引用 (1件)
-
半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-342998
出願人：松下電工株式会社
審査官引用 (13件)
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