半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：志賀正武 , 渡邊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-375837
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180201
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】音圧センサチップ等の半導体チップを備える半導体装置において、その小型化を容易に図ることができるようにする。【解決手段】基板3と、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラム7aを備えた半導体チップ7と、該半導体チップ7と電気的に接続されて前記半導体チップ7を制御する回路チップ5とを備え、前記半導体チップ7は、前記基板3の表面3aに配された前記回路チップ5上に、前記ダイヤフラム7aが前記回路チップ5に対向するように、積層して配されることを特徴とする半導体装置1を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを備えた半導体チップと、該半導体チップと電気的に接続されて前記半導体チップを制御する回路チップとを備え、前記半導体チップは、前記基板の表面に配された前記回路チップ上に、前記ダイヤフラムが前記回路チップに対向するように、積層して配されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/84 , H01L 25/16 , G01L 9/00

FI (3件)：

H01L29/84 Z , H01L25/16 A , G01L9/00 301G

Fターム (19件)：

2F055AA40 , 2F055BB14 , 2F055CC02 , 2F055DD04 , 2F055EE40 , 2F055FF16 , 2F055FF43 , 2F055GG11 , 4M112AA06 , 4M112BA07 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA13 , 4M112DA02 , 4M112DA18 , 4M112FA20 , 4M112GA01 , 5D021CC15 , 5D021CC19

引用特許：

出願人引用 (1件)

小型シリコンコンデンサマイクロフォンおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-546465 出願人：ノウレスエレクトロニクス,リミテッドライアビリティカンパニー

審査官引用 (4件)

圧力センサ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-034022 出願人：株式会社フジクラ
半導体圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-325041 出願人：松下電工株式会社
半導体圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331131 出願人：株式会社フジクラ

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