特許
J-GLOBAL ID：200903050640451532

半導体装置、半導体集積回路および高周波処理回路

発明者：
西田 昌生

西田 昌生 について

, 
宇田 尚典

宇田 尚典 について

, 
村井 成行

村井 成行 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054829
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154837
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 アイソレーションが高く、回路の配線の交差回数が少なく、かつ電圧の供給経路が単純化された半導体装置およびそれを用いた半導体集積回路を提供することである。【解決手段】 半導体基板100上に初段のFET1および終段のFET2が形成されている。初段のFET1のゲート端子G1と終段のFET2のゲート端子G2とが半導体基板100上の一方の側部側に配置され、初段のFET1のドレイン端子D1と終段のFET2のドレイン端子D2とが半導体基板100上の他方の側部側に配置されている。FET1とFET2との境界部を中心として、FET1の側に初段のゲートバイアス回路B1および終段のゲートバイアス回路B2が配置され、FET2の側に終段のドレインバイアス回路B4および初段のドレインバイアス回路B3が配置される。
請求項（抜粋）：
基板上に複数のトランジスタが形成された半導体装置において、前記複数のトランジスタの入力側端子が前記基板上の同じ側に配置され、かつ前記複数のトランジスタの出力側端子が前記基板上の他の同じ側に配置されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H03F 3/60 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (3件)：
H03F 3/60 ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/08 102 A
引用特許：
審査官引用 (16件)
  • 特開平4-010804
  • 特開平3-277005
  • 半導体増幅器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-056037   出願人：株式会社東芝
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM