特許
J-GLOBAL ID：200903050660776993

荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法

発明者：
村木 真人

村木 真人 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-075894
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267221
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 歪曲収差を容易に補正できる荷電粒子線描画装置を提供する。【解決手段】 荷電粒子源; 前記荷電粒子源から放射される荷電粒子線を照射する照射電子光学系;前記照射電子光学系からの荷電粒子線が照射される、複数の開口を備えた基板; 該基板の各開口を通過する荷電粒子線のそれぞれの中間像を形成する複数の要素電子光学系; 前記複数の中間像を被露光面に縮小投影する投影電子光学系; 前記基板の複数の開口からの荷電粒子線を個別に偏向してブランキングを制御する複数の偏向器; 前記照射電子光学系の前側焦点位置と、前記荷電粒子源位置との相対位置関係を変更する変更手段; および前記各偏向器を個別に制御するとともに前記位置決め機構を制御することで、各中間像が前記被露光面に投影される位置を調整する制御手段を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
荷電粒子源、前記荷電粒子源から放射される荷電粒子線を照射する照射電子光学系、前記照射電子光学系からの荷電粒子線が照射される、複数の開口を備えた基板、該基板の各開口を通過する荷電粒子線のそれぞれの中間像を形成する複数の要素電子光学系、前記複数の中間像を被露光面に縮小投影する投影電子光学系、前記基板の複数の開口からの荷電粒子線を個別に偏向してブランキングを制御する複数の偏向器、前記照射電子光学系の前側焦点位置と、前記荷電粒子源位置との相対位置関係を変更する変更手段、および前記各偏向器を個別に制御するとともに前記位置決め機構を制御することで、各中間像が前記被露光面に投影される位置を調整する制御手段を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
IPC (6件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 506 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/207 ,  H01J 37/305
FI (7件)：
G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 506 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/207 H ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 B ,  H01L 21/30 541 D
Fターム (16件)：
2H097BA01 ,  2H097BB03 ,  2H097CA16 ,  2H097GB01 ,  2H097LA10 ,  5C034BB02 ,  5C034BB03 ,  5C034BB04 ,  5C034BB07 ,  5C034BB08 ,  5F056AA07 ,  5F056BA09 ,  5F056CB05 ,  5F056CB14 ,  5F056CB32 ,  5F056EA08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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