特許
J-GLOBAL ID:200903050709754974

レジストパターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 畑 泰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-257744
公開番号(公開出願番号):特開2000-089477
出願日: 1998年09月11日
公開日(公表日): 2000年03月31日
要約:
【要約】【課題】 化学増幅型レジストを用いたレジストプロセスにおいて、現像後に架橋剤を用いた架橋剤水溶液処理を行い処理中に加熱させることによりレジストパターン中に熱架橋剤を浸透させ、レジスト中で熱架橋反応を起こしてレジストパターンの強度を高め、リンス液の表面張力によるレジストパターンの倒れや曲がりなどを防止し、良好なレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 レジスト11を露光し、このレジスト11を現像した後、現像液13をリンスすると共に乾燥させるレジストパターンの形成方法において、前記現像後リンス処理を行うことなく架橋材水溶液処理を行い、処理中加熱することを特徴とする。
請求項(抜粋):
レジストを露光し、このレジストを現像した後、現像液をリンスすると共に乾燥させるレジストパターンの形成方法において、前記現像後リンス処理を行うことなく架橋材水溶液処理を行い、処理中加熱することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件):
G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 502 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 502 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 570
Fターム (34件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BG00 ,  2H025CC17 ,  2H025EA01 ,  2H025EA05 ,  2H025FA01 ,  2H025FA09 ,  2H025FA16 ,  2H025FA29 ,  2H025FA31 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA02 ,  2H096CA14 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA09 ,  2H096HA01 ,  2H096JA01 ,  5F046AA05 ,  5F046BA03 ,  5F046HA01 ,  5F046JA04 ,  5F046KA01 ,  5F046LA03
引用特許:
審査官引用 (8件)
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