特許

J-GLOBAL ID：200903050716739387

ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置

発明者： 渡辺 陽介 ,  大須賀 浄
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-135267
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283753
出願日： 2008年05月23日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】ウエーハの表面に形成された複数のデバイスに欠陥領域が存在しても、アブレーションを起こすことなく内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。【解決手段】ウエーハ20のストリート21に沿って表面の高さ位置を検出し、所定の表面高さ位置より低下した欠陥領域220を検出する欠陥領域検出工程と、ウエーハの表面側から内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該ストリートに沿ってレーザー光線を照射する際に、該欠陥領域にはレーザー光線の照射を停止することにより、ウエーハの内部に該欠陥領域を除いて該ストリートに沿って変質層201を形成する変質層形成工程とを含む。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

表面に格子状に配列された複数のストリートによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたウエーハに、該ウエーハの表面側から内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該ストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に該ストリートに沿って複数層の変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、 ウエーハのストリートに沿って表面の高さ位置を検出し、所定の表面高さ位置より低下した欠陥領域を検出する欠陥領域検出工程と、 ウエーハの表面側から内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該ストリートに沿ってレーザー光線を照射する際に、該欠陥領域にはレーザー光線の照射を停止することにより、ウエーハの内部に該欠陥領域を除いて該ストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、を含む、 ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/06 ,  B23K 26/08

FI (8件)：

H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 L ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/00 H ,  B23K26/00 M ,  B23K26/06 A ,  B23K26/08 D

Fターム (6件)：

4E068AE00 ,  4E068CB02 ,  4E068CC02 ,  4E068CD08 ,  4E068CE04 ,  4E068DA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3408805号公報
  

審査官引用 (4件)

• ウェーハ切断方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-038491   出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
• 半導体基板の分断方法およびその分断方法で作製された半導体チップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-077218   出願人：株式会社デンソー, 浜松ホトニクス株式会社
• 半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-201535   出願人：松下電器産業株式会社
• ウエーハのレーザー加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-185085   出願人：株式会社ディスコ