特許
J-GLOBAL ID：200903077099758340
半導体チップの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201535
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019385
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】プラズマダイシングを用いた半導体チップの製造において、抗折強度の低下による加工歩留まりの低下を防止することができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体ウェハを個々の半導体装置毎に分割して半導体チップ1dを製造する半導体チップの製造方法において、ストリートラインによって区画された領域を覆うマスクを形成した後にこのマスクの欠陥を検出するためのマスク検査を行い、マスク検査において合格と判定された半導体ウェハを対象としてプラズマダイシングを実行し、不合格と判定された半導体ウェハについては不良マスク除去を行った後に再度マスク形成を行うことにより、欠陥を含んだマスクによってプラズマダイシングを行うことに起因する不具合を防止し、抗折強度の低下による加工歩留まりの低下を防止することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ストリートラインによって区画された複数の領域のそれぞれに半導体装置が形成された半導体ウェハを個々の半導体装置毎に分割して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウェハの半導体装置形成面側に保護シートを貼り付ける保護シート貼付工程と、前記保護シートを貼り付けた半導体ウェハの裏面側を研磨して半導体ウェハを薄くする裏面研磨工程と、前記裏面研磨工程の後、前記複数の領域を覆うマスクを半導体ウェハの裏面に形成するマスク形成工程と、前記マスクの欠陥を検査するマスク検査工程と、前記マスク検査工程において合格と判定された半導体ウェハを対象として、前記マスクが形成された表面からプラズマを照射して前記半導体ウェハにおいて前記マスクで覆われていない部分を除去することによりこの半導体ウェハを個々の半導体装置毎に複数の半導体チップに分割するプラズマダイシング工程と、前記プラズマダイシング工程の後に前記マスクを除去するマスク除去工程と、分割された半導体チップと前記保護シートとを分離する分離工程とを含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/304
H01L21/78 S
, H01L21/78 L
, H01L21/304 622J
, H01L21/304 621B
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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