特許
J-GLOBAL ID：200903071692015690

半導体基板の分断方法およびその分断方法で作製された半導体チップ

発明者：
杉浦 和彦

杉浦 和彦 について

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田村 宗生

田村 宗生 について

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藤井 哲夫

藤井 哲夫 について

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久野 耕司

久野 耕司 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について

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浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 田下 明人 ,  牧野 琢磨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077218
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258236
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】 アブレーションによるパーティクルの発生を防止できる半導体基板の分断方法およびその分断方法で作製された半導体チップを実現する。【解決手段】 分断予定ラインDLに沿って、半導体基板21の外周端部21cよりも外側からレーザヘッド31を走査し、半導体基板21にレーザ光Lを照射する。ここでは、レーザ光Lの集光点Pが半導体基板21の表面21aから深さdの箇所に形成されるように設定されている。このとき、領域1ではレーザ光Lの照射を停止し、領域2においてのみレーザ光Lを照射する。これにより、領域1では面取り部21bでレーザ光Lの集光点P2が合うことがないため、アブレーションを防ぐことができる。領域2では、レーザ光Lの集光点Pが走査された深さdの経路に、改質領域Kが適正に形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って、レーザ光を照射するレーザヘッドを前記半導体基板に対して相対移動させながら、前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、 この改質領域形成工程を経た前記半導体基板を、前記改質領域を起点にして、前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得る分断工程と、を備えた半導体基板の分断方法において、 前記改質領域形成工程では、前記分断予定ラインであって、前記半導体基板の外周端部から所定の第1の領域には、前記レーザ光を照射しないことを特徴とする半導体基板の分断方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/00
FI (3件)：
H01L21/78 B ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/00 H
Fターム (4件)：
4E068AE00 ,  4E068CA08 ,  4E068CA12 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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