面発光型半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：藤島洋一郎 , 三反崎泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307629
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120881
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】簡易かつ安価に製造可能であり、レーザ光の偏光方向を一定方向に制御することが可能な面発光型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】電流狭窄層14に対して酸化処理を施し、電流通過領域141を面内異方性をなす矩形状とする。また、光出射口31を中心とした対向位置に、その光出射口31側の側面が電流通過領域141の対角線方向のいずれかと平行な一対のトレンチ32A,32Bを設ける。光出射口31から出射されるレーザ光L1の偏光成分を一方向のみに特定し、偏光方向を精度良く一定方向に制御することができる。また、これらトレンチ32A,32B内に、レーザ光L1を吸収するような金属材料または絶縁性材料19を充填した場合には、レーザ光L1の偏光比がより向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1の半導体多層反射膜と、この第1の半導体多層反射膜上に形成されると共に少なくとも活性層および電流狭窄層を含む中間層と、この中間層上に形成されると共に光出射口が設けられた第2の半導体多層反射膜とを備え、前記第1の半導体多層反射膜の一部、中間層および第2の半導体多層反射膜が円柱状の共振部をなす面発光型半導体レーザ素子であって、前記電流狭窄層は面内異方性をなす矩形状の電流通過領域を有し、かつ前記第2の半導体多層反射膜が、前記光出射口を中心として対向し、その光出射口側の側面が前記電流通過領域における対角線方向のいずれかと平行な一対のトレンチを有することを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/183 , H01S 5/187

FI (2件)：

H01S5/183 , H01S5/187

Fターム (11件)：

5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AC35 , 5F173AC48 , 5F173AC52 , 5F173AF92 , 5F173AF94 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AR42 , 5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第2891133号公報
レーザ装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-550101 出願人：ユニバーシティー・オブ・ブリストル

審査官引用 (6件)

VCSELアセンブリとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-345734 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
特開平4-211186
面発光型レーザ素子および面発光型レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-397920 出願人：株式会社リコー

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