特許
J-GLOBAL ID：200903050897068624

圧電セラミックス、積層圧電セラミック素子及びその製造方法

発明者：
久保田 弘貴

久保田 弘貴 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳 ,  高橋 祥起
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-349292
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157910
出願日： 2005年12月02日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】大きな変位量を示すことができると共に、誘電率の温度依存性に優れた圧電セラミックス、積層圧電セラミック素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】温度25°Cにおける結晶形が正方晶で、正方晶から立方晶への相転移温度が250°C以上のチタン酸ジルコン酸鉛系組成物からなる圧電セラミックスである。その正方晶においては、格子定数比c/aが1.017〜1.023であり、かつ(101)面のX線回折強度の半値幅が0.1°〜0.3°である。また、この圧電セラミックスからなる圧電セラミック層11と内部電極層12、13とを交互に積層してなる積層圧電セラミック素子1及びその製造方法である。積層圧電セラミック素子1の作製にあたっては、圧電セラミックス層11が相対密度95%以上で焼結するときの最低温度をTmin(°C)とすると、Tmin+50≦T≦Tmin+250という関係を満足する焼成温度T(°C)で焼成を行う。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
温度25°Cにおける結晶形が正方晶で、正方晶から立方晶への相転移温度が250°C以上のチタン酸ジルコン酸鉛系組成物からなる圧電セラミックスであって、 上記正方晶においては、a軸方向とc軸方向との格子定数比c/aが1.017〜1.023であり、かつ(101)面のX線回折強度の半値幅が0.1°〜0.3°であることを特徴とする圧電セラミックス。
IPC (4件)：
H01L 41/187 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/22
FI (4件)：
H01L41/18 101D ,  H01L41/08 S ,  H01L41/22 A ,  H01L41/22 Z
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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