特許
J-GLOBAL ID:200903050945804451
電界放出デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-294875
公開番号(公開出願番号):特開平10-134701
出願日: 1997年10月13日
公開日(公表日): 1998年05月22日
要約:
【要約】【課題】電界放射デバイス(FED)では、陰極、誘電体間の破壊電流等によりFEDを破壊する。その対策として導電物質での誘電体表面の被覆があるが、抽出ゲート電極間を短絡させ、電子エミッタのアドレス可能度を損ない得る。また電界放出デバイスの発展過程において電極管容量の低電力が要される。【解決手段】電子放出デバイス(500)は、支持基板(510)、その上に形成される陰極、電子エミッタ(570)およびそこから電子放出が効果的になされるよう位置する抽出ゲート電極(550)、誘電体主表面(548)上に形成される電荷散逸層(552)および抽出ゲート電極から離れている陽極(580)から構成され、電荷散逸層の抵抗は、抽出ゲート電極間の短絡を防止するのに十分高く、一方、衝突する電荷の伝導に適切な抵抗値に形成し得る。また、図5の構造により、抽電極管容量を小さくしている。
請求項(抜粋):
電界放出デバイス(200、300、400、500)であって:支持基板(210、310、410、510);複数の電子エミッタ(270、370、470、570)および複数の電極(250、215、350、315、450、415、550、515)から構成される複数のアクティブ要素であって、前記複数の電極(250、215、350、315、450、415、550、515)は、前記電子エミッタ(270、370、470、570)からの電子の放出が効果的になされるように複数の電子エミッタ(270、370、470、570)に接近しており、支持基板(210、310、410、510)によって支持されている複数のアクティブ要素;前記複数の電子エミッタ(270、370、470、570)の一部分に対して、近くに位置付けられる誘電体主表面(248、348、448、548);前記誘電体主表面(248、348、448、548)上に位置付けられる電荷散逸層(252、352、452、552)であって、当該電界放出デバイス(200、300、400、500)の外部にある電気的接地コンタクトと動作可能に結合する電荷散逸層(252、352、452、552);および前記支持基板(210、310、410、510)から離間している陽極(280、380、480、580)であって、前記複数の電子エミッタ(270、370、470、570)から放出される電子を受け取るように位置付けられている陽極(280、380、480、580);から構成されることを特徴とする電界放出デバイス(200、300、400、500)。
引用特許:
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