特許
J-GLOBAL ID:200903050957838165

ボールグリッドアレイ半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-264716
公開番号(公開出願番号):特開平10-112515
出願日: 1996年10月04日
公開日(公表日): 1998年04月28日
要約:
【要約】【課題】 封止樹脂におけるガラス転移温度Tgに着目し、BGA半導体装置に発生する反りを抑制し、電気接続が良好なBGA半導体装置を提供する。【解決手段】 回路配線を有する配線基板1上に回路配線と電気的に接続された半導体チップ2を搭載し、半導体チップ2を封止する第1の封止樹脂4の上に、BGA半導体装置の反りを抑制するためにガラス転移温度Tgがはんだバンプ7のはんだ溶融温度よりも高い第2の封止樹脂5を備える。そして、BGA半導体装置を実装基板8に実装する際に、第1の封止樹脂4が熱膨張しようとしても、熱膨張をあまりしない第2の封止樹脂5と配線基板1により第1の封止樹脂4の熱膨張を抑制することができる。
請求項(抜粋):
回路配線を有する配線基板(1)と、前記配線基板(1)上に搭載され、前記回路配線と電気的に接続された半導体チップ(2)と、前記配線基板(1)上に形成され、前記半導体チップ(2)を封止する第1の封止樹脂(4)と、前記第1の封止樹脂(4)上に形成された反り防止部材(5)と、前記配線基板(1)裏面に形成され、前記回路配線と電気的に接続されたはんだバンプ(7)とを備え、前記反り防止部材(5)は、そのガラス転移温度Tgが、前記はんだバンプ(7)のはんだ溶融温度より高い部材により形成されていることを特徴とするボールグリッドアレイ半導体装置。
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-305036   出願人:日東電工株式会社
  • プラスチックボールグリッドアレイ用封止樹脂組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-206263   出願人:住友ベークライト株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-274978   出願人:三菱電機株式会社
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