特許
J-GLOBAL ID：200903050990921779

光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法

発明者：
尾坂 格

尾坂 格 について

, 
林 誠之

林 誠之 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-240964
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059515
出願日： 2005年08月23日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】本発明の目的は、光電変換効率およびS/N比が高い光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子(好ましくはカラーイメージセンサー)を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物を少なくとも一つ含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子。 一般式(1) 【化1】 式(1)中、Lは2価以上の連結基を表し、nは2以上の整数を表す、Aは一般式(2)で表される化学構造である。 一般式(2) 【化2】 式(2)中、X1〜X8は、置換もしくは無置換の炭素原子、または窒素原子を表す。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される化合物を少なくとも一つ含むことを特徴とする光電変換膜。 一般式(1)
IPC (3件)：
H01L 51/42 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (3件)：
H01L31/04 D ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 E
Fターム (17件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA15 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118FA06 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA19 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049WA03 ,  5F051AA11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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