半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214041
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033459
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】プレーナスタック構造のキャパシタを含むFeRAMにおいて、その特性のバラツキや歩留まり向上を図る。【解決手段】接続領域を有する基板1と、その上に形成される絶縁膜21と、絶縁膜21内に形成され接続領域Dに達するコンタクトホール21と、その内に充填された導電性プラグ25と、その表面を覆って絶縁膜21上の所定領域に形成され、導電性バリア層33と下部電極35と誘電体膜37と上部電極41とを含むキャパシタCPと、キャパシタCPの外側面と導電性プラグ25表面との間に設けられ、キャパシタCPの外側面に露出した導電性バリア層33から導電性プラグ25表面の導電性バリア層33に向けて進行する導電性プラグ層33の酸化反応を抑制する酸化反応抑制部とを有する。

請求項（抜粋）：

接続領域を有する基板と、前記基板上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜内に形成され前記接続領域に達するコンタクトホールと、前記コンタクトホール内に充填された導電性プラグと、前記導電性プラグの表面を覆って前記絶縁膜上の所定領域に形成され、導電性バリア層と前記導電性バリア層の上に形成された下部電極と前記下部電極の上に形成された誘電体膜と前記誘電体膜上に形成された上部電極とを含むキャパシタと、前記キャパシタの外側面と前記導電性プラグ表面との間に設けられ、前記キャパシタの外側面に露出した前記導電性バリア層から前記導電性プラグ表面の前記導電性バリア層に向けて進行する前記導電性プラグ層の酸化反応を抑制する酸化反応抑制部とを有する半導体装置。

Fターム (20件)：

5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA25 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083KA05 , 5F083KA19 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA20 , 5F083PR03 , 5F083PR23 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-125234 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-309292 出願人：シャープ株式会社
ハ-ドマスクおよびプラズマ活性化エッチャントを使用した材料のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-256316 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

全件表示

前のページに戻る