特許
J-GLOBAL ID：200903051065339420
半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子の製造装置および光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-140996
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174235
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、発光特性を著しく改善する。【解決手段】 基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層を設け、前記窒素を含む活性層と前記Alを含む半導体層を、それぞれ窒素化合物原料と有機金属Al原料を用いて成長させるときに、前記Alを含む半導体層を成長する際に基板を保持するサセプタと、前記窒素を含む活性層を成長する際に基板を保持するサセプタとを異なるものとする。
請求項（抜粋）：
基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層を設け、前記窒素を含む活性層と前記Alを含む半導体層を、それぞれ窒素化合物原料と有機金属Al原料を用いて成長させる半導体発光素子の製造方法において、前記Alを含む半導体層を成長する際に基板を保持するサセプタと、前記窒素を含む活性層を成長する際に基板を保持するサセプタとを異なるものとすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AB19
, 5F045AF04
, 5F045BB05
, 5F045BB06
, 5F045BB08
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045EB08
, 5F045EB11
, 5F045EM01
, 5F073AA74
, 5F073AB16
, 5F073BA01
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA35
