特許
J-GLOBAL ID：200903051160794770

表面評価方法

発明者：
片岡 俊彦

片岡 俊彦 について

, 
和田 勝男

和田 勝男 について


出願人/特許権者：
株式会社シリコンテクノロジー

株式会社シリコンテクノロジー について

, 
片岡 俊彦

片岡 俊彦 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-150583
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340537
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：
【要約】【課題】 試料表面上の異物や微細な凹凸、構造や組成の変化を、広い範囲にわたって、短時間かつ容易に識別でき、微小周期を有する粗さ(マイクロラフネス)を、高精度に評価できる方法を提供。【解決手段】 アルゴンイオンレーザー6から射出させた単一レーザー光を、偏光面調整させ、ついで集光レンズ10で集光させた照射光1を、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度で、試料3表面に照射させる。試料3表面からの散乱光を、順次、結像レンズ4、CCD5を経て、電気信号に変換させ、CCD画像を記録、解析し、試料の表面粗さまたは表面形状を表す数値化されたデータを得、試料表面のマイクロラフネスを評価する。
請求項（抜粋）：
反射光が最小となる入射角度の照射光を、試料表面に照射させ、試料表面からの散乱光を、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された結像レンズにより、CCDに結像させた後、該CCDにより、結像された散乱光強度に応じた電気信号に変換させ、記録、解析し、マイクロラフネスを評価することを特徴とする表面評価方法。
IPC (4件)：
G01B 11/30 ,  G01N 21/956 ,  G02B 21/06 ,  H01L 21/66
FI (4件)：
G01B 11/30 Z ,  G01N 21/956 A ,  G02B 21/06 ,  H01L 21/66 P
Fターム (44件)：
2F065AA49 ,  2F065BB17 ,  2F065DD03 ,  2F065FF41 ,  2F065FF49 ,  2F065GG05 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL24 ,  2F065LL35 ,  2F065MM26 ,  2F065NN03 ,  2F065PP03 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ27 ,  2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB07 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BB01 ,  2G051BC01 ,  2G051CA04 ,  2G051CA06 ,  2G051CB05 ,  2G051CD02 ,  2G051DA07 ,  2G051EA25 ,  2G051EC02 ,  2G051EC03 ,  2H052AC09 ,  2H052AC15 ,  2H052AC28 ,  2H052AC34 ,  2H052AF02 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA24 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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