特許
J-GLOBAL ID：200903051275904898

絶縁ゲート型半導体装置

発明者：
石田 裕康

石田 裕康 について

, 
野口 康成

野口 康成 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-131820
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305751
出願日： 2006年05月10日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】 ゲートパッド電極の下方にp+型不純物領域を設ける場合、p+型不純物領域の端部が球面状の曲率を有する。ドレイン-ソース間逆方向耐圧が数百Vになると、球面状の端部に電界が集中し、十分なドレイン-ソース間逆方向耐圧を得ることができない。平面パターンにおいてp+型不純物領域のコーナー部の曲率を大きくすると動作領域に配置できるトランジスタセル数が犠牲になる。【解決手段】 ゲートパッド電極の下方にもトランジスタセルと連続するチャネル領域およびゲート電極を配置する。トランジスタセルをストライプ状としソース電極とコンタクトさせることで、ゲートパッド電極の下方に位置するチャネル領域およびゲート電極を所定の電位で固定する。これにより、ゲートパッド電極下方全面にp+型不純物領域を設けなくても、所定のドレイン-ソース間逆方向耐圧を確保することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板と、 該一導電型半導体基板の一主面においてストライプ状に設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極に沿って前記一主面にストライプ状に設けられた逆導電型のチャネル領域と、 前記ゲート電極と前記チャネル領域間に設けられた第1絶縁膜と、 前記ゲート電極に沿って前記一主面の前記チャネル領域にストライプ状に設けられた一導電型のソース領域と、 前記ゲート電極上に設けられた第2絶縁膜と、 一部の前記チャネル領域上に前記第2絶縁膜を介して設けられたゲートパッド電極と、を具備することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/06
FI (7件)：
H01L29/78 652Q ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652P
Fターム (8件)：
4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF11 ,  4M104FF35 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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