特許
J-GLOBAL ID:200903051320836270

容量式湿度センサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-043973
公開番号(公開出願番号):特開2002-243690
出願日: 2001年02月20日
公開日(公表日): 2002年08月28日
要約:
【要約】【課題】 信頼性に優れ且つ通常の半導体製造ラインで製造可能な材料にて構成することのできる容量式湿度センサを提供する。【解決手段】 半導体基板10と、この半導体基板10の上に形成されたシリコン酸化膜20と、シリコン酸化膜20の上に同一平面上にて離間して対向するように形成された2個の電極31、32と、これら2個の電極31、32を覆うように形成されたシリコン窒化膜40と、シリコン窒化膜40の上に両電極31、32および両電極31、32の間を覆うように形成され、湿度に応じて容量値が変化する感湿膜50とを備え、周囲の湿度の変化に応じて2個の電極31、32間の容量値が変化するようになっている。
請求項(抜粋):
半導体基板(10)と、この半導体基板の上に形成された第1の絶縁膜(20)と、この第1の絶縁膜の上に同一平面上にて離間して対向するように形成された2個の電極(31、32)と、これら2個の電極を覆うように形成された第2の絶縁膜(40)と、この第2の絶縁膜の上に前記2個の電極および前記2個の電極の間を覆うように形成され、湿度に応じて容量値が変化する感湿膜(50)とを備え、周囲の湿度の変化に応じて前記2個の電極間の容量値が変化することを特徴とする容量式湿度センサ。
Fターム (9件):
2G060AA01 ,  2G060AB02 ,  2G060AE19 ,  2G060AF11 ,  2G060AG10 ,  2G060AG15 ,  2G060BB10 ,  2G060HC10 ,  2G060JA02
引用特許:
審査官引用 (11件)
  • 特開昭57-153254
  • 湿度センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-209206   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • 特開昭57-124401
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