特許
J-GLOBAL ID：200903051326770840
アンチモン系材料を用いた光通信波長用面発光レーザ素子及びその画像生成装置並びに情報中継装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新保 斉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-186350
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173562
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 光通信波長帯を発振する長波長の面発光レーザ素子と、その画像生成装置及び情報中継装置を提供すること。【解決手段】 下部半導体多層膜から成る分布ブラッグ反射鏡と、上部半導体多層膜から成る分布ブラッグ反射鏡との一対で構成される共振器と、その下部半導体多層膜分布ブラッグ反射鏡と上部半導体多層膜分布ブラッグ反射鏡との間に配置された活性層とを備えた面発光レーザ素子において、活性層を、アンチモン系半導体を用いた量子ドットで構成する。電極の接続されたGaAs半導体基板に、下部GaAs半導体多層膜分布ブラッグ反射鏡を積層し、活性層のアンチモン系半導体としては、InGaSbを用い、上部半導体多層膜分布ブラッグ反射鏡としては、電極の接続されたAlAsまたはAlGaAsを用いてもよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下部半導体多層膜から成る分布ブラッグ反射鏡と、上部半導体多層膜から成る分布ブラッグ反射鏡との一対で構成される共振器と、その下部半導体多層膜分布ブラッグ反射鏡と上部半導体多層膜分布ブラッグ反射鏡との間に配置された活性層とを備え、光通信波長を発振する面発光レーザ素子において、
活性層を、アンチモン系半導体を用いた量子ドットで構成する
ことを特徴とするアンチモン系材料を用いた光通信波長用面発光レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC52
, 5F173AF08
, 5F173AH29
