特許
J-GLOBAL ID：200903020765870298

GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN量子井戸構造の形成方法

発明者：
赤崎 勇

赤崎 勇 について

, 
天野 浩

天野 浩 について

, 
山口 栄雄

山口 栄雄 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-039811
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230500
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN系量子井戸構造の場合、室温での発光効率が極めて悪く、その効率を改善させることが必要であった。【解決手段】 GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN量子井戸構造の井戸層の結晶成長において、キャリアガスとして窒素を使用すること、および/またはInを含む物質を同時供給することにより井戸層に圧縮性歪みを付与することにより、量子井戸構造の歪みの大きさおよび/または符号を制御する。これにより、井戸層の厚さをコントロールすることなく、量子井戸構造の結晶性、対称性、光学特性を大幅に改善することができる。
請求項（抜粋）：
MOVPE法により量子井戸構造を形成する方法において、下地GaN層を水素キャリアまたは窒素キャリア中で製作し、GaN/AlGaNまたはAlGaN/AlGaN量子井戸構造の結晶成長において、キャリアを窒素ガスとすることにより量子井戸層に圧縮性歪み(ただし、圧縮性歪みは下地GaNを基準に取る。)を付与することにより歪みの大きさを制御することを特徴とする量子井戸構造の形成方法。
IPC (3件)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (29件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA69 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB18 ,  5F073DA05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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