特許
J-GLOBAL ID:200903051329667676

銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-046016
公開番号(公開出願番号):特開平11-251700
出願日: 1998年02月26日
公開日(公表日): 1999年09月17日
要約:
【要約】【課題】ビアホールに充填された銅メタライズ組成物とガラスセラミック基体とを同時焼成でき、得られたビアホール導体はガラスセラミック磁器から成る絶縁基体表面より凸状に突出することを効果的に抑制でき、特にサーマルビアを有する各種回路基板や高周波用多層配線基板等に好適な銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板を提供すること。【解決手段】 主成分の銅粉末100重量部に対してガラス転移点が700〜750°CのSiO2 -Al2 O3 -RO(R:アルカリ土類金属)-B2 O3 系ガラスフリットを2〜20重量部、CaO成分を含む無機物粉末を0.3〜5重量部含有したビアホール用の銅メタライズ組成物を用い、ガラスセラミック基体と同時焼成することにより、ビアホール導体2の磁器基体表面からの突出高さが5μm以下のガラスセラミック配線基板Sを得る。
請求項(抜粋):
ガラスセラミック基体と同時焼成可能なビアホール用の銅メタライズ組成物であって、主成分の銅粉末100重量部に対してガラス転移点が700〜750°CのSiO2 -Al2 O3 -RO(R:アルカリ土類金属)-B2 O3 系ガラスフリットを2〜20重量部、CaO成分を含む無機物粉末を0.3〜5重量部含有したことを特徴とする銅メタライズ組成物。
IPC (4件):
H05K 1/09 ,  H01B 1/16 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/11
FI (4件):
H05K 1/09 Z ,  H01B 1/16 Z ,  H05K 1/02 Q ,  H05K 1/11 N
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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