特許
J-GLOBAL ID:200903051337314952

固体撮像装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-077302
公開番号(公開出願番号):特開平6-291296
出願日: 1993年04月05日
公開日(公表日): 1994年10月18日
要約:
【要約】【目的】CCDの電荷転送電極の間隙を狭めて設けることにより、間隙部での電荷転送バリアの生成を防止するときに電極形成工程を簡略化する。【構成】P型シリコン基板1上に、絶縁膜2を介して多結晶シリコン膜もしくは多結晶シリコン膜と金属シリサイド膜の積層膜からなる主電極30A,30Bを設け、しかるのちに多結晶シリコンが露出した側壁部にのみ多結晶シリコン膜を選択的に形成して副電極31A,...とする。かかる工程により、電極間隙が狭められた電極群が構成される。
請求項(抜粋):
半導体基板の表面に絶縁膜を介して設けられた電極が所定間隔をおいて複数個配置され、それぞれの前記電極は第1の導電膜からなる主電極および前記主電極同士の間隔を狭めるためその側面に接触して設けられた第2の導電膜からなる副電極を有していることを特徴とする固体撮像装置。
引用特許:
審査官引用 (8件)
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