特許
J-GLOBAL ID：200903051339501709
静電容量型半導体センサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-162189
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267588
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】センサ検出部となるダイヤフラムの形状を改良し、低コストで小型,高感度な静電容量型半導体センサを提供する。【解決手段】下面に円形の薄膜固定電極2a, その外周域にスルーホール2bを形成したガラスウエハ2と、シリコンウエハの上面側に前記固定電極と微小ギャップを隔てて対向する低抵抗の薄膜ダイヤフラムを形成し、かつダイヤフラム下面のウエハ材料を除去した上で前記ガラスウエハに重ね合わせて接合したダイヤフラムブロック1との組立体でセンサチップを構成するようにし、ここで前記薄膜ダイヤフラムは、低抵抗なポリシリコン膜を構造材料とし、かつその中心部のフラットゾーンを可動電極部4aとしてその外周域に同心円状に並ぶ波形リング4b,および前記スルーホール2aの直下に対峙するごみトラップ4cを形成した波形ダイヤフラム4として形成する。
請求項（抜粋）：
下面中心部に薄膜固定電極を形成したガラスウェハと、シリコンウェハの上面に前記固定電極と微小ギャップを隔てて対峙する可動電極一体形の薄膜ダイヤフラムを形成し、かつその裏面側のウェハ材料を除去してガラスウェハと重ね合わせたダイヤフラムブロックとの組立体からなり、前記薄膜ダイヤフラムが、中心部の円形フラットゾーンを可動電極部としてその外周域に同心円状に並ぶ複数条の波形リングを形成した波形ダイヤフラムであることを特徴とする静電容量型半導体センサ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 9/12
, G01P 15/125
H01L 29/84 Z
, G01L 9/12
, G01P 15/125
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE25
, 2F055FF01
, 2F055FF11
, 2F055FF49
, 2F055GG01
, 2F055GG15
, 4M112AA01
, 4M112BA07
, 4M112CA22
, 4M112CA36
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA06
, 4M112DA14
, 4M112DA18
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA13
