厚い絶縁層の粗さを減少させるための方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 山ノ井傑
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-520879
公開番号（公開出願番号）：特表2009-501440
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：

本発明は、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、及び光学の分野で使用されるような構成の基板を製造する方法であって、a)ドナー基板(1)上に、20nm以上の厚さを有し、2μm×2μmのスイープにわたって3オングストロームRMS以上の粗さを有する絶縁層(2)を堆積するステップと、b)0.25Paよりも高いガス圧力下のチャンバ内で形成されたガスプラズマを用いて、前記絶縁層(2)の自由表面(20)の平滑化処理(SP)を行うステップであって、前記プラズマは、無線周波RF発生器により生成され、該無線周波RF発生器は、前記絶縁層(2)に0.6W/cm2よりも高いパワー密度を与えることを可能にし、前記平滑化処理の継続時間は、10秒以上であるようなステップと、c)前記ドナー基板(1)の内部に原子種を注入することで脆弱域(10)を形成し、該脆弱域(10)にていわゆる「活性」層(11)と残りの部分(12)とを区切るステップ、という連続的なステップa)乃至c)を少なくとも備えることを特徴とする方法に関する。

請求項（抜粋）：

エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、及び光学の分野で使用するための基板を製造する方法であって、 a)20nm以上の厚さを有し、2μm×2μmのスキャン幅にわたって3オングストロームRMS以上の粗さを有する絶縁層(2)を、第1のいわゆる「ドナー」基板(1)上に堆積するステップと、 b)内部のガス圧力が0.25Paを超えるチャンバ内で形成されたガスプラズマを用いて、前記絶縁層(2)の自由表面(20)の平滑化処理(SP)を行うステップであって、前記プラズマは、無線周波RF発生器を用いて生成され、該無線周波RF発生器は、前記絶縁層(2)に0.6W/cm2よりも大きいパワー密度を印加できるようなパワーで動作し、前記平滑化処理の継続時間は、少なくとも10秒であるようなステップと、 c)前記ドナー基板(1)の内部に原子種を注入することで脆化域(10)を形成し、いわゆる「活性」層(11)と残りの部分(12)とを区切るステップと、を少なくとも備え、ステップa)乃至c)は、この順番で行われることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L27/12 B , H01L21/316 P , H01L21/316 X

Fターム (9件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH01 , 5F058BH16 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (4件)

SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-049415 出願人：信越半導体株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-212230 出願人：シャープ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-226330 出願人：株式会社東芝

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