特許
J-GLOBAL ID：200903081334024100
SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-049415
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259970
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】ブリスター及びボイドを発生させず、高品質のSOIウエーハを高い歩留まりで製造できるSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】少なくともボンドウエーハの表層部にイオン注入層を形成後、該ボンドウエーハとベースウエーハとを酸化膜を介して貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離してSOIウエーハを製造する方法において、前記イオン注入層で剥離した直後のSOIウエーハにおける埋め込み酸化膜の厚さをX(nm)、SOI層の厚さをY(nm)とするとき、前記埋め込み酸化膜の厚さXがX≦100である場合には、前記イオン注入層を形成する際に、埋め込み酸化膜とSOI層の厚さの合計X+Yが、X+Y>1500-14Xを満たすようにイオン注入条件を設定してイオン注入を行った後、前記貼り合わせ工程及び剥離工程を行い、その後SOI層の薄膜化処理を行ってSOI層を所定の厚さまで薄膜化するSOIウエーハの製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、ボンドウエーハの表層部に水素イオン及び希ガスイオンの少なくとも1種類のイオンを注入してイオン注入層を形成した後、該ボンドウエーハとベースウエーハとを酸化膜を介して貼り合わせ、その後得られた貼り合わせウエーハを前記イオン注入層で剥離することによって、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成されたSOIウエーハを製造する方法において、前記イオン注入層で剥離した直後のSOIウエーハにおける埋め込み酸化膜の厚さをX(nm)、SOI層の厚さをY(nm)とするとき、前記埋め込み酸化膜の厚さXがX≦100である場合には、前記イオン注入層を形成する際に、埋め込み酸化膜とSOI層の厚さの合計X+Yが、X+Y>1500-14Xを満たすようにイオン注入条件を設定してイオン注入を行った後、前記貼り合わせ工程及び剥離工程を行い、その後SOI層の薄膜化処理を行ってSOI層を所定の厚さまで薄膜化することを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
