特許
J-GLOBAL ID：200903059121780283

半導体装置およびその製造方法

発明者：
小川 康行

小川 康行 について

, 
▲高▼藤 裕

▲高▼藤 裕 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-212230
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150686
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 絶縁基板2上に、単結晶Siウエハ100上で形成された単結晶Si薄膜トランジスタ16aが転写されてなる半導体装置20において、転写時および転写後にゲート電極106を中心とするアライメントを可能にする。【解決手段】 単結晶Siウエハ100上の素子分離領域をロコス酸化し、フィールド酸化膜(SiO2膜)104を形成する。さらに、フィールド酸化膜104上にマーカー107を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、該絶縁基板に少なくとも活性層とゲート絶縁膜とゲート電極とを含む層が転写されてなる転写トランジスタと、該絶縁基板上で形成される成膜トランジスタとが混在する半導体装置であって、上記ゲート電極が上記活性層よりも上記絶縁基板側に形成される半導体装置において、 上記転写された層に、光によって位置を検知されるマーカーが形成されており、 上記転写された層のうち、上記マーカーに対して上記絶縁基板と反対側に形成された層が、光透過性絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/786
FI (4件)：
H01L27/12 B ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/76 L
Fターム (67件)：
2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092KB04 ,  2H092MA06 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA16 ,  2H092MA17 ,  2H092MA23 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  5F032AA13 ,  5F032AA34 ,  5F032AA43 ,  5F032AA44 ,  5F032CA17 ,  5F032DA04 ,  5F032DA07 ,  5F032DA25 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP23 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特許第3278944号明細書
  • 特許第2743391号明細書
  • 特許第3141486号明細書
審査官引用 (14件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM