特許
J-GLOBAL ID:200903051391905915

半導体装置の構造及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 暁夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-321303
公開番号(公開出願番号):特開平11-163054
出願日: 1997年11月21日
公開日(公表日): 1999年06月18日
要約:
【要約】【課題】 裏面に半田バンプ9の複数個をマトリックス状に並べて設けた基板の表面に、ICチップ3を、その各電極パッド4が前記各半田バンプ9に電気的に接続するように重ね合わせ接合して成るエリアアレイパッケージ型の半導体装置において、その小型・軽量化を図ると共に、低コスト化を図る。【手段】 前記基板としてポリイミドフィルム1を使用して、このポリイミドフィルム1に対して前記ICチップ3を、導電粒子を混合した接着フィルム2にて接合する。
請求項(抜粋):
フレキシブルなポリイミドフィルムと、ICチップとから成り、前記ポリイミドフィルムの裏面に、外部接続用半田バンプの複数個をマトリックス状に並べて設ける一方、前記ポリイミドフィルムの表面に、前記ICチップにおける各電極パッドに対応する接続用電極及び前記各半田パンプに導通する端子用電極並びにこれら各接続用電極と各端子用電極との相互間を電気的に接続する配線パターンとを形成し、更に、前記ポリイミドフィルムの表面に、前記ICチップを、当該ICチップにおける各電極パッドをポリイミドフィルムにおける各接続用電極の各々に電気的に接続するように重ね合わせ接合したことを特徴とする半導体装置の構造。
IPC (3件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 23/12 L
引用特許:
審査官引用 (4件)
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