特許
J-GLOBAL ID：200903051401957773

III族窒化物結晶の表面平坦性改善方法、エピタキシャル成長用基板、および半導体素子

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

, 
浅井 圭一郎

浅井 圭一郎 について

, 
角谷 茂明

角谷 茂明 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-168463
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332570
出願日： 2005年06月08日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】作製条件に特段の制限を設けることなく、III族窒化物結晶における表面平坦性の向上を実現する方法を提供する。【解決手段】単結晶の基材1とその主面上にエピタキシャル形成されたIII族窒化物結晶膜からなる上部層2とで構成されたエピタキシャル基板10を、窒素雰囲気下で1250°C以上の温度で加熱処理する。【効果】表面におけるピットが低減することにより表面平坦性が改善し、また、III族窒化物結晶内の転位密度が熱処理前の1/2以下となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定の単結晶基材の上にエピタキシャル形成されてなるIII族窒化物結晶の表面平坦性改善方法であって、 前記III族窒化物結晶の形成温度よりも高い加熱温度に加熱する加熱工程、 を備えることを特徴とするIII族窒化物結晶の表面平坦性改善方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/20
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 C ,  C30B33/02 ,  H01L21/20
Fターム (51件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA05 ,  4G077DA11 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FE06 ,  4G077FE11 ,  4G077FJ01 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077SB01 ,  4G077SB06 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA08 ,  5F045AA12 ,  5F045AB09 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045HA16 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN03 ,  5F152LN04 ,  5F152LN22 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NN30 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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