特許
J-GLOBAL ID:200903051478383273
半導体集積回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
池内 寛幸 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-356090
公開番号(公開出願番号):特開2002-163888
出願日: 2000年11月22日
公開日(公表日): 2002年06月07日
要約:
【要約】【課題】 電源電圧発生回路のレイアウト面積を過剰に増加させないで過渡応答特性の向上を図ることができる半導体集積回路及びかかる半導体集積回路における検査方法を提供する。【解決手段】 機能回路と、機能回路の動作に使用される電源電圧発生回路を備えた半導体集積回路であって、電源電圧発生回路において、複数の直列接続された抵抗によって作られた複数の参照電圧と、複数個並列接続された差動増幅器の出力電圧との比較を行い、ゲート電圧を変化させながら出力段トランジスタを駆動する。
請求項(抜粋):
機能回路と、前記機能回路の動作に使用される電源電圧発生回路を備えた半導体集積回路であって、前記電源電圧発生回路において、作動点に微小な電圧差を有する参照電圧が入力される一対の差動増幅器群によって出力段を形成するトランジスタ群を駆動し、一対の差動増幅器と異なる差動増幅器において、前記一対の差動増幅器に入力される前記参照電圧と異なる参照電圧と、前記トランジスタ群のうち対応するトランジスタからの出力電圧との大小比較を行うことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件):
G11C 11/407
, G01R 31/28
, G11C 29/00 651
, G11C 29/00 671
FI (5件):
G11C 29/00 651 Z
, G11C 29/00 671 T
, G11C 11/34 354 F
, G01R 31/28 B
, G01R 31/28 V
Fターム (15件):
2G032AA00
, 2G032AA07
, 2G032AB01
, 2G032AB10
, 2G032AB19
, 2G032AK11
, 5B024AA03
, 5B024AA07
, 5B024AA15
, 5B024BA07
, 5B024BA29
, 5B024CA07
, 5L106AA01
, 5L106DD12
, 5L106EE08
引用特許:
審査官引用 (13件)
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-092781
出願人:富士通株式会社
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特開平1-161513
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特開平4-042313
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特開平4-119589
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半導体装置およびその検査方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-252649
出願人:松下電器産業株式会社
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-109409
出願人:日本電気株式会社
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ダイナミツクRAM
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-279387
出願人:日本電気株式会社
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半導体メモリ装置の定電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-163080
出願人:三星電子株式会社
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ドロップアウトの小さい昇圧電源付きオンチップ電圧調整器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-350668
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-118757
出願人:株式会社沖マイクロデザイン, 沖電気工業株式会社
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特開平1-161513
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特開平4-042313
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特開平4-119589
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