特許

J-GLOBAL ID：200903051517192693

常温接合によるデバイス、デバイス製造方法ならびに常温接合装置

発明者： 内海 淳 ,  後藤 崇之 ,  井手 健介 ,  舩山 正宏 ,  高木 秀樹
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (2件)： 工藤 実 ,  中尾 圭策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-149896
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324195
出願日： 2006年05月30日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】難接合性材料から成る基板(たとえば、SiO2系材料基板)を、常温接合により実用的な接合強度で接合して得られるデバイスおよびそのデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】第1基板11と第2基板12との界面27には、接合強度を生起する中間材層28が形成され、この中間材層に複数の金属元素が内在している。スパッタリング時の運転パラメーターにより、その複数の金属元素の界面元素存在比率が0.07以上をとる様に制御する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

複数の金属と、 第1基板と、 前記複数の金属を介して常温接合により前記第1基板に接合される第2基板 とを具備するデバイスであって、 前記複数の金属は、界面元素存在比率が0.07以上である デバイス。

IPC (1件)：

H01L 21/02

FI (1件)：

H01L21/02 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 弾性表面波素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-136511   出願人：富士通メディアデバイス株式会社, 富士通株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• イオンビームエッチングを用いたレーザー光学結晶の接合法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-215082   出願人：日本原子力研究所, 株式会社光学技研
• 基板接合方法および基板接合装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137882   出願人：須賀唯知, アユミ工業株式会社
• 異種材料複合体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-344286   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所