特許
J-GLOBAL ID：200903051573943065
プラズマディスプレイパネルの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-051562
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231525
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 現像処理においてアンダーカットを防ぎ、各構成要素のパターンを高い効率で確実に、高精細に製造することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供すること。【解決手段】 特定の光開始剤を有するレジスト膜を用い、二層レジスト法により無機パターンを有するパネル材料を形成する。
請求項（抜粋）：
支持フィルム上に形成された無機粉体分散ペースト層を基板上に転写し、当該無機粉体分散ペースト層上に、式(1)または式(2)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種のビイミダゾール系化合物を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体分散ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体分散ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの製造方法。〔式(1)において、Xは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数6〜9のアリール基を示し、Aは-COO-R(但し、Rは炭素数1〜4のアルキル基または炭素数6〜9のアリール基を示す。)を示し、mは1〜3の整数であり、nは1〜3の整数である。〕〔一般式(2)において、X1 、X2 およびX3 は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜4のアルキル基または炭素数6〜9のアリール基を示す。但し、X1 、X2 、およびX3 の2個以上が同時に水素原子をとることはない。〕
IPC (4件)：
G03F 7/029
, H01J 9/02
, H01J 11/02
, H01J 17/49
G03F 7/029
, H01J 9/02 F
, H01J 11/02 B
, H01J 17/49 Z
