特許
J-GLOBAL ID：200903051754340575

シリコンウェーハの熱処理方法

発明者：
柴崎 英明

柴崎 英明 について

, 
栗田 一成

栗田 一成 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-328794
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134513
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 点欠陥の凝集体が存在しないことに加えて、高密度で微小な欠陥核を発現し、デバイス製造工程の熱処理でIG効果を発揮するウェーハを得る。【解決手段】 格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域[I]に隣接しかつ点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域[V]に隣接しかつ領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、[PV]と[PI]の混合領域からなりかつ酸素濃度が0.97×1018〜1.4×1018atoms/cm3(旧ASTM)であるウェーハをシラン化合物と一酸化二窒素の混合ガス雰囲気下、700〜900°Cで30〜120分間保持するか、又はシラン化合物と酸素と窒素の混合ガス雰囲気下、350〜450°Cで5〜60分間保持する。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を[I]とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を[V]とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を[P]とするとき、前記パーフェクト領域[P]からなるインゴットから切出された点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの熱処理方法であって、前記領域[I]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属し侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン濃度未満の領域を[PI]とし、前記領域[V]に隣接しかつ前記パーフェクト領域[P]に属しCOP又はFPDを形成し得る空孔濃度以下の領域を[PV]とするとき、前記領域[PV]と領域[PI]の混合領域からなりかつ酸素濃度が0.97×1018〜1.4×1018atoms/cm3(旧ASTM)であるシリコン単結晶インゴットを引上げ、前記インゴットから切出されたシリコンウェーハをシラン化合物と一酸化二窒素の混合ガス雰囲気下、700〜900°Cで30〜120分間保持することを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
引用特許：
審査官引用 (9件)
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