特許
J-GLOBAL ID：200903064414913710
シリコンウェーハ
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084643
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277404
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャル層付きウェーハと同等の半導体デバイスの高性能化、高歩留まり、及び特性の均一性を達成し、かつゲッタリング能力も低下させない。【解決手段】 ベーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりが存在しないシリコンウェーハであって、ウェーハ表面に厚さ5〜25nmの酸化膜を形成し、この酸化膜を介して10MV/cmの直流電圧を100秒間印加したときの酸化膜の欠陥密度が0.1個/cm2以下であり、かつ上記ウェーハ表面にpn接合部を形成し、このpn接合部の1mm2以上のpn接合面積におけるpn接合リーク電流の面内ばらつきが20%以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ベーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりが存在しないシリコンウェーハであって、前記ウェーハ表面に厚さ5〜25nmの酸化膜を形成し、前記酸化膜を介して10MV/cmの直流電圧を100秒間印加したときの前記酸化膜の欠陥密度が0.1個/cm2以下であり、かつ前記ウェーハ表面にpn接合部を形成し、前記pn接合部の1mm2以上のpn接合面積におけるpn接合リーク電流の面内ばらつきが20%以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, C30B 29/06 A
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF00
, 4G077EJ01
, 4G077FJ06
, 4G077GA01
, 4G077HA06
, 4G077HA12
