特許
J-GLOBAL ID：200903051857581082

位相シフトマスク、位相シフトマスクブランクス及びそれらの製造方法

発明者：
大久保 靖

大久保 靖 について

, 
須田 秀喜

須田 秀喜 について


出願人/特許権者：
ホーヤ株式会社

ホーヤ株式会社 について


代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040484
公開番号（公開出願番号）：特開平9-211839
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 所望する最適の光学特性値を高い精度で有するとともに、マスクの製造及び使用の際の洗浄等による光学特性の変化を抑えることができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属、シリコン、及び、酸素及び/又は窒素を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で光半透過部を構成してなるハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、光半透過部の表面層におけるSiとOの合計比率を80原子%以上とする。あるいは、光半透過部の表面層上に耐洗浄性のある層を形成する。また、例えば、透明基板上に光半透過部材料層を形成してなるマスクブランクスを、マスク製造又は使用に伴う洗浄工程で溶出する成分を溶出させる処理液(例えば硫酸)であらかじめ処理し、洗浄工程で溶出する成分の溶出量が微小となる状態にしておき、その後、薄膜層をパターンニングして光半透過部を形成して位相シフトマスクを製造する。
請求項（抜粋）：
金属、シリコン、及び、酸素及び/又は窒素を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で光半透過部を構成してなるハーフトーン型位相シフトマスクであって、光半透過部の表面層におけるSiとOの合計比率を80原子%以上としたことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許：
審査官引用 (4件)
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