特許
J-GLOBAL ID：200903051884096250

結晶成長装置および製造方法

発明者：
皿山 正二

皿山 正二 について

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岩田 浩和

岩田 浩和 について

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布施 晃広

布施 晃広 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-192667
公開番号（公開出願番号）：特開2008-019127
出願日： 2006年07月13日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】反応容器内の水分量および/または酸素量を低減してIII族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。【解決手段】坩堝10は、金属Naと金属Gaとを含む混合融液290を保持する。反応容器20は、坩堝10の周囲を覆う。外部反応容器300は、反応容器20の周囲を覆う。配管30は、反応容器20に連結され、配管31は、配管30およびガス精製器310に連結され、配管32は、ガス精製器310に連結される。融液保持部材60は、配管30内に金属融液190を保持する。ガス精製器310は、外部反応容器300内の窒素ガスの水分および/または酸素の含有量を低減して配管30へ供給する。ガスボンベ140は、圧力調整器130を介して窒素ガスを配管30および外部反応容器300へ供給する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液を保持する坩堝と、 窒素原料ガスに含まれる水分および/または酸素の含有量を基準値以下に低減するガス精製器と、 前記ガス精製器を介して前記坩堝内の前記混合融液に接する容器空間へ前記窒素原料ガスを供給するガス供給装置と、 前記混合融液を結晶成長温度に加熱する加熱装置とを備える結晶成長装置。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  C30B 19/04
FI (2件)：
C30B29/38 D ,  C30B19/04
Fターム (13件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
  • 結晶育成装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-154588   出願人：松下電工株式会社, 森勇介
  • ガス精製機
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-024231   出願人：株式会社日立製作所

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