特許
J-GLOBAL ID：200903062136856554
III族窒化物結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119453
公開番号（公開出願番号）：特開2003-313099
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：
【要約】【課題】 反応容器内の温度分布を精度良く容易に設定することができ、III族窒化物の核発生制御とアルカリ金属の蒸気制御を精度良く行なうことができて、III族窒化物結晶の結晶品質を高める。【解決手段】 反応容器101内に加熱装置106が設けられていることによって、反応容器101内の温度分布を精度良く容易に設定することができ、III族窒化物の核発生制御とアルカリ金属の蒸気制御を精度良く行なうことができて、III族窒化物結晶110の結晶品質を高めることができる。
請求項（抜粋）：
反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長装置であって、反応容器内には、III族窒化物が結晶成長可能な温度にするための加熱手段を有していることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
Fターム (8件)：
4G077AA01
, 4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EC08
, 4G077EG18
, 4G077HA02
, 4G077HA12
