歪シリコン基板の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-305647
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124206
出願日： 2006年11月10日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】高品質な歪シリコン基板の提供を可能とすること。【解決手段】支持基板20として、その熱膨張係数がシリコン基板10の熱膨張係数よりも小さなものが選択され、好ましくは1.3×10-6K-1以下の熱膨張係数の材料からなる基板が用いられる。予めSi基板10の主面に水素イオン注入し、表面活性化処理の後にSi基板10と支持基板20を100〜400°Cの温度範囲で貼り合わせる。そして、貼り合わせ界面に外部衝撃を加え、水素イオン注入界面12に沿ってシリコンの剥離を行う。Si基板10の貼り合わせ面側には、水素イオン注入により「微小気泡層」が形成されており、元素の結合状態は局所的に脆弱化されている。したがって、外部衝撃を付与すると、イオン注入層11中の化学結合の切断が容易に生じる結果、イオン注入界面12に沿ってシリコンの剥離が生じ、支持基板20上に歪シリコン層13が得られる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

歪シリコン基板の製造方法であって、シリコン基板の主面側から水素イオンを注入する第1のステップと、前記シリコン基板および該シリコン基板よりも熱膨張係数の小さな支持基板の少なくとも一方の主面に表面活性化処理を施す第2のステップと、前記シリコン基板と前記支持基板の主面同士を100°C以上400°C以下の温度で貼り合わせる第3のステップと、前記シリコン基板と支持基板の貼り合わせ界面に外部衝撃を付与して前記シリコン基板の水素イオン注入界面に沿ってシリコンを剥離して前記支持基板の主面上にシリコン層を形成する第4のステップと、を備えていることを特徴とする歪シリコン基板の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (8件)：

H01L21/20 , H01L29/78 301H , H01L21/02 B , H01L27/12 B , H01L21/265 Q , H01L21/265 U , H01L29/78 627D , H01L29/78 618Z

Fターム (32件)：

5F110AA01 , 5F110AA26 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG52 , 5F110QQ17 , 5F140AA40 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LN08 , 5F152LN22 , 5F152LP02 , 5F152LP09 , 5F152MM04 , 5F152MM19 , 5F152NN03 , 5F152NN14 , 5F152NN15 , 5F152NN16 , 5F152NN29 , 5F152NQ03

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6603156号明細書

審査官引用 (5件)

SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-374892 出願人：信越化学工業株式会社, 信越半導体株式会社
半導体基板,その製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-081514 出願人：松下電器産業株式会社
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-024838 出願人：石川島播磨重工業株式会社

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