特許
J-GLOBAL ID：200903050631796470
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-024838
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252244
出願日： 2005年02月01日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 SOI層とガラス基板を強固に結合するために、800°Cを超える高温での熱処理を必要とせず、ガラス基板の構成材料として融点の低いものを用いることができ、これにより、半導体基板の製造コストを下げることができる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ1と透明な絶縁基板2を用いて、半導体薄膜層を有する半導体基板を製造する半導体基板の製造方法。半導体ウエハに半導体薄膜層を形成する薄膜形成工程S1と、半導体ウエハと絶縁基板の表面を洗浄し、基板の一面を貼り合わせる貼合わせ工程S2と、熱処理により貼合わせ面の接合強度を高める熱処理工程S3と、半導体薄膜層を絶縁基板上に剥離工程S4と、絶縁基板に、レーザ光を半導体薄膜層側または透明な絶縁基板側から照射して半導体薄膜層の結晶品質を改善するとともに、半導体薄膜層と透明な絶縁基板を強固に結合させるレーザ光照射工程S5とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウエハと透明な絶縁基板を用いて、半導体薄膜層を有する半導体基板を製造する半導体基板の製造方法において、
前記半導体ウエハに半導体薄膜層を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜形成工程後に、前記半導体ウエハと前記絶縁基板の表面を洗浄し、基板の一面を貼り合わせる貼合わせ工程と、
前記貼合わせ工程後に、熱処理により前記貼合わせ面の接合強度を高める熱処理工程と、
前記熱処理工程後に、前記半導体薄膜層を絶縁基板上に剥離させる剥離工程と、
前記剥離工程後に、絶縁基板に、レーザ光を前記半導体薄膜層側または前記透明な絶縁基板側から照射して前記半導体薄膜層の結晶品質を改善するとともに、前記半導体薄膜層と前記透明な絶縁基板を強固に結合させるレーザ光照射工程と、を備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L27/12
, B23K26/00
, H01L21/02
, H01L21/265
H01L27/12 B
, B23K26/00 E
, H01L21/02 B
, H01L21/265 Q
出願人引用 (2件)
審査官引用 (9件)
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