特許
J-GLOBAL ID：200903053612014517
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-374892
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210900
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】透明絶縁性基板とSOI層との熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等の発生を簡易な工程で防止でき、さらにSOI層に半導体デバイスを作製した際に光リークを低減できるSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により全面がOSF領域の外側のN領域となる単結晶シリコンを育成してこれをスライスして作製したN領域単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入してウェーハ中にイオン注入層を形成し、N領域単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び/又は透明絶縁性基板の表面をプラズマ及び/又はオゾンで処理し、N領域単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合し、イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離して透明絶縁性基板上にSOI層を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンウェーハと透明絶縁性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成してSOIウェーハを製造する方法において、少なくとも、
チョクラルスキー法により、全面がOSF領域の外側のN領域となる単結晶シリコンを育成し、これをスライスしてウェーハを作製する工程、
前記作製したN領域単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程、
前記N領域単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び/又は前記透明絶縁性基板の表面を、プラズマ及び/又はオゾンで処理する工程、
前記N領域単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、
前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成する工程、
を行なうことを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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