特許
J-GLOBAL ID：200903051894922698
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-076790
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274603
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、基本横モードで連続発振することができ、光ディスクシステム等の光源に適した非点収差のない良質の出射ビームを得ることのできるInGaAlBAsP系半導体レーザを提供することにある。【解決手段】 本発明は、活性層よりバンドギャップエネルギーの小さい光閉じ込め層を設け、その損失導波効果によって横モードを制御することにより、動作電圧が低くかつ基本モードでの連続発振を可能とする事にある。光閉込め層が第1導電型のIn<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> B<SB>1-x-y</SB> N<SB>u</SB> As<SB>v</SB> P<SB>1-u-v</SB> とIn<SB>a</SB> Ga<SB>b</SB> Al<SB>c</SB> B<SB>1-a-b-c-</SB>N<SB>d</SB> As<SB>e</SB> P<SB>1-d-e</SB> の(X≧活性層の平均In組成,0≦a<X)の多層膜より構成され、In<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> B<SB>1-x-y</SB> N<SB>u</SB> AsP<SB>1-u-v</SB> でX≧0.15であるとともに、光閉じ込め層の第1導電型のIn<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> B<SB>1-x-y</SB> N<SB>u</SB> As<SB>v</SB> P<SB>1-u-v</SB> 層の一層の厚さが0.3μm以下であることを特徴とする半導体レーザを提供する。
請求項（抜粋）：
窒素を含むIII-V族化合物半導体からなり、第1導電型のクラッド層とストライプ状のリッジを有する第2導電型のクラッド層で活性層を挟んだダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部の第2導電型クラッド層側に接して少なくとも前記リッジ部以外の領域に形成された第1導電型の光閉込め層とを備えた半導体レーザであって、前記光閉じ込め層が第1導電型のIn<SB>X</SB> Ga<SB>y</SB> B<SB>1-x-y</SB> N<SB>u</SB> As<SB>v</SB> P<SB>1-u-v</SB> とIn<SB>a</SB> Ga<SB>b</SB> Al<SB>c</SB> B<SB>1-a-b-c</SB> N<SB>d</SB> As<SB>e</SB> P<SB>1-d-e</SB> (X≧活性層の平均In組成,0≦a<X)の異なる材料の多層膜で構成したことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
Copyright (c) 2009 Japan Science and Technology Agency. All Rights Reserved