マルチチップパッケージ構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-238028
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082857
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】プリント配線基板と薄膜多層配線層で構成される複合基板上に搭載された、集積回路素子から発生する熱を効率的に放散することで、動作時の最大温度を許容温度以下に抑えて高い信頼性を得る。【構成】低誘電率絶縁体と導体から成る薄膜多層配線層5の表面に形成されたダイパッド8を介して高集積回路素子1がフェースアップで搭載され、集積回路素子上の電極とOLBパッド9とはボンディングワイヤ7方式によって接続されている。高集積回路素子から発生する熱は、実装エリア内の薄膜多層配線層からプリント配線基板4裏面まで達する第1の放熱ヴィア2と、第2の放熱ヴィア3を通じ、プリント配線基板裏面に接合された外部入出力ピン6cによって厚みを制御された放熱板11を介して効率的に放散を行う第1流路と、プリント配線基板内に複数枚挿入した放熱プレート12を介してプリント配線基板全体へ効率的に熱放散を行う第2流路が備えられ、これらいずれも高熱伝導性に優れるCu材料が用いられている。

請求項（抜粋）：

プリント配線基板と、該基板下面に接続する外部入出力ピンと、前記プリント配線基板表面に低誘電率の絶縁体と導体からなる薄膜多層配線層を有し、該薄膜多層配線層上には高集積回路素子を含む複数の受動部品が搭載されるマルチチップパッケージにおいて、前記薄膜多層配線層には、前記高集積回路素子搭載面から前記プリント配線基板表面に達する高熱伝導性の第1の放熱ヴィアが備えられ、該第1の放熱ヴィアは、前記プリント配線基板表裏に貫通する第1の放熱ヴィアより伝熱面積が大きな高熱伝導性の第2の放熱ヴィアと、電気的および熱的に接合していることを特徴とするマルチチップパッケージ構造。

IPC (2件)：

H01L 23/36 , H01L 23/40

FI (2件)：

H01L 23/36 D , H01L 23/40 E

引用特許：

審査官引用 (12件)

多層配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-076410 出願人：株式会社東芝
特開昭59-210691
特開昭60-247992

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